測試數(shù)據(jù)表明，經(jīng)BAVP處理的電池不僅獲得了25.2%的優(yōu)秀效率，其穩(wěn)定性同樣優(yōu)異——未封裝器件在85°C下經(jīng)歷2616小時以及500次-5至55°C溫度循環(huán)后，效率保持率分別高達99.4%與97.5%，顯著展現(xiàn)了該策略在提升電池綜合性能方面的應用前景。

(a) 雙分子胺蒸汽鈍化（BAVP）過程的示意圖，展示了2-（PEA）和（EDA）如何與鈣鈦礦薄膜相互作用。

(b) PEA吸附在PbI2終止的鈣鈦礦表面的示意圖。

(c) EDA吸附在PbI2終止的鈣鈦礦表面的示意圖。

(d) PEA與FA+反應的吉布斯自由能曲線。

(e) EDA與FA+反應的吉布斯自由能曲線。

(a) X射線光電子能譜（XPS）分析，展示了PEA、EDA和BAVP處理的鈣鈦礦薄膜中Pb 4f的結合能變化。

(b) 溶液鈍化和(c) BAVP處理的鈣鈦礦薄膜的Kelvin探針力顯微鏡（KPFM）圖像。

(d) 控制組、(e) BAVP處理和(f) 溶液鈍化處理的鈣鈦礦薄膜的深度分辨掠入射X射線衍射（GIXRD）光譜。

(a) 鈣鈦礦薄膜在不同胺處理下的能級對齊圖。

(b) 鈣鈦礦薄膜在不同處理下鈣鈦礦導帶底和費米能級的差。

(c) 穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光（PL）光譜。

(d) 時間分辨光致發(fā)光（TRPL）衰減曲線。

(e) PL量子產率（PLQY）值。

(f-h) 不同鈍化方法處理的鈣鈦礦薄膜的PL強度分布圖。

(a) 本研究中使用的倒置鈣鈦礦太陽能電池的器件結構。

(b) 未處理和不同胺處理的小面積器件的J-V曲線。

(c) 溶液基和蒸汽基鈍化方法處理的器件的J-V曲線。

(d) 通過刮涂法制備的倒置鈣鈦礦太陽能電池和模塊的代表性光電轉換效率（PCE）。

(e) 不同鈍化方法處理的小面積器件的外部量子效率（EQE）光譜。

(f) 不同鈍化方法處理的鈣鈦礦太陽能模塊的J-V曲線和圖像。(g) 未處理和不同胺處理的器件的電化學阻抗譜（EIS）。

(h) 未處理和不同胺處理的器件的瞬態(tài)光電流（TPC）。

(i) 未處理和不同胺處理的電子-only器件的空間電荷限制電流（SCLC）特性。